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STU10NM60N

STU10NM60N

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N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics


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N沟道 600V 10A


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MOSFET N-CH 600V 10A IPAK


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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU10NM60N, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装


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Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


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MOSFET N-CH 600V 10A IPAK


STU10NM60N中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.53 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 540pF @50VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.9 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STU10NM60N引脚图与封装图
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在线购买STU10NM60N
型号 制造商 描述 购买
STU10NM60N ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STU10NM60N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STU10NM60N

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： IPAK N-Channel 600V 10A

当前型号

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： STU7NM60N

品牌： 意法半导体

封装： TO-251 N-Channel

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型号： STD6NM60N-1

品牌： 意法半导体

封装： I²Pak

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封装： IPAK N-CH 30V 27A

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