SST26VF016B-104V/SN
数据手册.pdfSST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 SQI SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ SQI™ SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place XIP 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 SPI 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。### 特点串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 SPI 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip
SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 SQI SuperFlash® 存储器
的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ SQI™ SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place XIP 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 SPI 协议。
通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。
### 特点
串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构
x1/x2/x4 串行外围接口 SPI 协议
高速时钟频率 - 最大 104 MHz
脉冲串模式
低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型）
快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型）
灵活的擦除能力
软件写入保护
### 闪存，Microchip