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SST25VF016B-50-4I-S2AF-T

SST25VF016B-50-4I-S2AF-T

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 电子元器件分类

SST25VF系列 16Mb 2 Mx8 3V 表面贴装 SPI 串行闪存-SOIC-8

Product Description

The 25 series Serial Flash family features a four-wire, SPI-compatible interface that allows for a low pin-count package which occupies less board space and ultimately lowers total system costs. The SST25VF016B devices are enhanced with improved operating frequency and even lower power consumption than the original SST25VFxxxA devices. SST25VF016B SPI serial flash memories are manufactured with proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches.

Features

• Single Voltage Read and Write Operations

\- 2.7-3.6V

• Serial Interface Architecture

\- SPI Compatible: Mode 0 and Mode 3

• High Speed Clock Frequency

\- Up to 50 MHz

• Superior Reliability

\- Endurance: 100,000 Cycles typical

\- Greater than 100 years Data Retention

• Low Power Consumption:

\- Active Read Current: 10 mA typical

\- Standby Current: 5 µA typical

• Flexible Erase Capability

\- Uniform 4 KByte sectors

\- Uniform 32 KByte overlay blocks

\- Uniform 64 KByte overlay blocks

• Fast Erase and Byte-Program:

\- Chip-Erase Time: 35 ms typical

\- Sector-/Block-Erase Time: 18 ms typical

\- Byte-Program Time: 7 µs typical

• Auto Address Increment AAI Programming

\- Decrease total chip programming time over Byte-Program operations

• End-of-Write Detection

\- Software polling the BUSY bit in Status Register

\- Busy Status readout on SO pin in AAI Mode

• Hold Pin HOLD#

\- Suspends a serial sequence to the memory without deselecting the device

• Write Protection WP#

\- Enables/Disables the Lock-Down function of the status register

• Software Write Protection

\- Write protection through Block-Protection bits in status register

• Temperature Range

\- Commercial: 0°C to +70°C

\- Industrial: -40°C to +85°C

• Packages Available

\- 8-lead SOIC 200 mils

\- 8-contact WSON 6mm x 5mm

• All devices are RoHS compliant

SST25VF016B-50-4I-S2AF-T中文资料参数规格
技术参数

工作电压 2.7V ~ 3.6V

供电电流 15 mA

针脚数 8

时钟频率 50 MHz

位数 8

存取时间Max 8 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8542320051

SST25VF016B-50-4I-S2AF-T引脚图与封装图
SST25VF016B-50-4I-S2AF-T引脚图

SST25VF016B-50-4I-S2AF-T引脚图

SST25VF016B-50-4I-S2AF-T封装图

SST25VF016B-50-4I-S2AF-T封装图

SST25VF016B-50-4I-S2AF-T封装焊盘图

SST25VF016B-50-4I-S2AF-T封装焊盘图

在线购买SST25VF016B-50-4I-S2AF-T
型号 制造商 描述 购买
SST25VF016B-50-4I-S2AF-T Microchip 微芯 SST25VF系列 16Mb 2 Mx8 3V 表面贴装 SPI 串行闪存-SOIC-8 搜索库存
替代型号SST25VF016B-50-4I-S2AF-T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SST25VF016B-50-4I-S2AF-T

品牌: Microchip 微芯

封装: SOIC-8

当前型号

SST25VF系列 16Mb 2 Mx8 3V 表面贴装 SPI 串行闪存-SOIC-8

当前型号

型号: SST25VF016B-50-4I-S2AF

品牌: 微芯

封装: SOIC 2000000B 2.7V 8Pin

完全替代

MICROCHIP  SST25VF016B-50-4I-S2AF  闪存, 16 Mbit, 2M x 8位, 50 MHz, 串行, SPI, SOIC, 8 引脚

SST25VF016B-50-4I-S2AF-T和SST25VF016B-50-4I-S2AF的区别

型号: SST25VF016B-50-4I-QAF

品牌: 微芯

封装: WSON

完全替代

SST25VF016B 串行 SPI SuperFlash® 存储器### 闪存,Microchip

SST25VF016B-50-4I-S2AF-T和SST25VF016B-50-4I-QAF的区别

型号: SST26VF016B-104I/SM

品牌: 微芯

封装: SOIJ

类似代替

SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 SQI SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ SQI™ SuperFlash® 存储 IC,具有六线、4 位输入/输出接口,允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place XIP 功能,带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能,用于传统串行外围接口 SPI 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术,这些设备可提供卓越的擦除时间,与其他闪存备选设备相比,非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成,全芯片擦除操作通常需要 35 ms。### 特点串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出,带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 SPI 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA(104 MHz 时典型),待机 15 μA(典型) 快速擦除时间 - 扇区/块擦除:18 ms(典型);芯片擦除 35 ms(典型) 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存,Microchip

SST25VF016B-50-4I-S2AF-T和SST26VF016B-104I/SM的区别