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S34ML01G100TFI000

S34ML01G100TFI000

数据手册.pdf
Spansion 飞索半导体 主动器件

NAND 闪存,Spansion**Spansion** 闪存系列 **ML NAND** 在 3V 工作时提供高性能。 Spansion ML NAND 闪存产品的存储器大小跨度为 1Gb 至 4Gb。 SLC NAND 电池为您的嵌入式数据存储应用需求提供可靠的解决方案。 除此之外,NAND 闪存还带有并行接口,采用 TSOP 或 BGA 封装形式。 Spansion ML Nand 闪存组织格式范围: 128M x 8 位,64M x 16 位 - **S34ML01G100BHI000**,**S34ML01G100TFI000** 128M x 16 位,256M x 8 位 - **S34ML02G100BHI000**,**S34ML02G100TFI000** 256M x 16 位,512M x 8 位 - **S34ML04G100BHI000**,**S34ML04G100TFI000** ### NAND 闪存

The is a 1Gbit SLC NAND Flash Memory with ONFI interface. ® the interface is open NAND flash interface ONFI 1.0 compliant and address, data and commands multiplexed. The chip supports CE don"t care function. This function allows the direct download of the code from the NAND flash memory device by a microcontroller, since the CE transitions do not stop the read operation. The device has a read cache feature that improves the read throughput for large files. During cache reading, the devices load the data in a cache register while the previous data is transferred to the I/O buffers to be read.

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One time programmable OTP area
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Hardware program/erase disabled during power transition
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Supports copy back program
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Supports read cache
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-40 to 85°C Industrial temperature range
S34ML01G100TFI000中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.70V min

供电电流 30 mA

针脚数 48

存取时间 20 ns

内存容量 128000000 B

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.3 V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TSOP-48

外形尺寸

长度 18.5 mm

宽度 12.1 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

S34ML01G100TFI000引脚图与封装图
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在线购买S34ML01G100TFI000
型号 制造商 描述 购买
S34ML01G100TFI000 Spansion 飞索半导体 NAND 闪存,Spansion **Spansion** 闪存系列 **ML NAND** 在 3V 工作时提供高性能。 Spansion ML NAND 闪存产品的存储器大小跨度为 1Gb 至 4Gb。 SLC NAND 电池为您的嵌入式数据存储应用需求提供可靠的解决方案。 除此之外,NAND 闪存还带有并行接口,采用 TSOP 或 BGA 封装形式。 Spansion ML Nand 闪存组织格式范围: 128M x 8 位,64M x 16 位 - **S34ML01G100BHI000**,**S34ML01G100TFI000** 128M x 16 位,256M x 8 位 - **S34ML02G100BHI000**,**S34ML02G100TFI000** 256M x 16 位,512M x 8 位 - **S34ML04G100BHI000**,**S34ML04G100TFI000** ### NAND 闪存 搜索库存
替代型号S34ML01G100TFI000
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: S34ML01G100TFI000

品牌: Spansion 飞索半导体

封装: TSOP 128000000B 2.7V 48Pin

当前型号

NAND 闪存,Spansion**Spansion** 闪存系列 **ML NAND** 在 3V 工作时提供高性能。 Spansion ML NAND 闪存产品的存储器大小跨度为 1Gb 至 4Gb。 SLC NAND 电池为您的嵌入式数据存储应用需求提供可靠的解决方案。 除此之外,NAND 闪存还带有并行接口,采用 TSOP 或 BGA 封装形式。 Spansion ML Nand 闪存组织格式范围: 128M x 8 位,64M x 16 位 - **S34ML01G100BHI000**,**S34ML01G100TFI000** 128M x 16 位,256M x 8 位 - **S34ML02G100BHI000**,**S34ML02G100TFI000** 256M x 16 位,512M x 8 位 - **S34ML04G100BHI000**,**S34ML04G100TFI000** ### NAND 闪存

当前型号

型号: S34ML01G100TFI003

品牌: 赛普拉斯

封装: 48-TFSOP 2.7V

完全替代

S34ML01G1 系列 1 Gb 128M x 8 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48

S34ML01G100TFI000和S34ML01G100TFI003的区别

型号: NAND01GW3B2BN6E

品牌: 镁光

封装: TSOP 48Pin

功能相似

IC, FLASH NAND 1GB, SMD, TSOP48; Memory Configuration: 128M x 8Bit; Access Time: 25µs; Supply Voltage Range: 2.7V to ...

S34ML01G100TFI000和NAND01GW3B2BN6E的区别