RD3L080SNTL1

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 60V 8A Ta 15W Tc Surface Mount TO-252

得捷:
MOSFET N-CH 60V 8A TO252

欧时:
Nch 60V 8A Power MOSFET

立创商城:
N沟道 60V 8A

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R

RD3L080SNTL1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.057 Ω

耗散功率 15 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 380pF @10VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 15W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RD3L080SNTL1引脚图与封装图

RD3L080SNTL1引脚图

RD3L080SNTL1封装图

RD3L080SNTL1封装焊盘图

在线购买RD3L080SNTL1

型号	制造商	描述	购买
RD3L080SNTL1	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 V	搜索库存