RD3H160SPTL1
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
针脚数 3
漏源极电阻 0.035 Ω
耗散功率 20 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 45 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 2000 pF
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
RD3H160SPTL1 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -16 A, -45 V, 0.035 ohm, -10 V, -3 V | 搜索库存 |