RGPR30BM40HRTL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
额定功率 125 W
针脚数 3
耗散功率 125 W
击穿电压集电极-发射极 430 V
额定功率Max 125 W
工作温度Max 175 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RGPR30BM40HRTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 单晶体管, IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-252, 3 引脚 | 搜索库存 |