RGPR30NS40HRTL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

单晶体管, IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-263, 3 引脚

IGBT 430V 30A 125W Surface Mount LPDS

得捷:
400V 30A IGNITION IGBT

e络盟:
单晶体管, IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-263 D2PAK, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 430V 30A 125000mW Automotive 3-Pin2+Tab LPDS T/R

RGPR30NS40HRTL中文资料参数规格

技术参数

额定功率 125 W

针脚数 3

耗散功率 125 W

击穿电压集电极-发射极 430 V

额定功率Max 125 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RGPR30NS40HRTL引脚图与封装图

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RGPR30NS40HRTL	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	单晶体管, IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-263, 3 引脚	搜索库存