RH823-1
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
RH823-1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
测试电流 7.5 mA
稳压值 6.2 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-7
外形尺寸
封装 DO-7
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
RH823-1引脚图与封装图
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在线购买RH823-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RH823-1 | Microsemi 美高森美 | DO-7 6.2V 0.5W1/2W | 搜索库存 |
替代型号RH823-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RH823-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | DO-7 6.2V 0.5W1/2W | 当前型号 |
| 型号： 1N823AE3 品牌： 美高森美 封装： DO-7 | 完全替代 | Diode Zener Single 6.2V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 | RH823-1和1N823AE3的区别 |
| 型号： RH823A-1 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | DO-7 6.2V 0.5W1/2W | RH823-1和RH823A-1的区别 |
| 型号： 1N823A 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | Zener Diode Temperature Compensated 5.9-6.5V 0.5W1/2W Do-7 Case 0.005 Tc | RH823-1和1N823A的区别 |