RGT00TS65DGC11

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

IGBT 晶体管 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N

IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N

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沟槽场截止 277W 650V 85A

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650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

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IGBT 晶体管 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin3+Tab TO-247N Bulk

RGT00TS65DGC11中文资料参数规格

技术参数

额定功率 277 W

耗散功率 277 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 54 ns

额定功率Max 277 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 277000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RGT00TS65DGC11引脚图与封装图

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