RN1115MFV,L3F

Toshiba(东芝) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 BIAS RESISTOR BUILT IN TRANSISTOR

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 BIAS RESISTOR BUILT IN TRANSISTOR

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

RN1115MFV,L3F中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RN1115MFV,L3F引脚图与封装图

RN1115MFV,L3F封装图

RN1115MFV,L3F封装焊盘图

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