RFP8P05
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
RFP8P05中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 300 mΩ
耗散功率 48 W
漏源击穿电压 50 V
上升时间 30 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
RFP8P05引脚图与封装图
暂无图片
替代型号RFP8P05
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RFP8P05 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 | 当前型号 | P沟道 50V 8A | 当前型号 |
| 型号： RFP70N06 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO220AB N-Channel 60V 70A 14mohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFP70N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 4 V | RFP8P05和RFP70N06的区别 |
| 型号： RFP30N06LE 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220AB N-Channel 60V 30A 47mohms | 类似代替 | 30A ， 60V ， ESD额定， 0.047欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs | RFP8P05和RFP30N06LE的区别 |
| 型号： RFP70N06_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220AB N-CH 60V 70A | 类似代替 | 70A, 60V, 0.014Ω, N-Channel Power MOSFETs | RFP8P05和RFP70N06_NL的区别 |