RFP4N100
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
RFP4N100中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 4.30 A
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 1.00 kV
连续漏极电流Ids 4.30 A
上升时间 50 ns
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
RFP4N100引脚图与封装图
暂无图片
替代型号RFP4N100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RFP4N100 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 1kV 4.3A | 当前型号 | MOSFET N-CH 1kV 4.3A TO-220AB | 当前型号 |
| 型号： MTP3N100E 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH Si 1kV 3A 3Pin3+Tab TO-220AB | RFP4N100和MTP3N100E的区别 |
| 型号： MTB3N100E 品牌： 摩托罗拉 封装： | 功能相似 | TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS RDSon = 4Ω | RFP4N100和MTB3N100E的区别 |