R6015KNZC8

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

MOSFET N-CH 600V 15A TO3P-3

N-Channel 600V 15A Tc 60W Tc Through Hole TO-3PF

得捷:
MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF

贸泽:
MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube

R6015KNZC8中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1050pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

R6015KNZC8引脚图与封装图

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