RQ3L050GNTB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.061 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 60V 12A Tc 14.8W Tc Surface Mount 8-HSMT 3.2x3

欧时:
Power MOSFET N-Channel 60V 12A HSMT8

立创商城:
RQ3L050GNTB

得捷:
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.061 ohm, 10 V, 2.5 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin HSMT EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V ±13A 8-Pin HSMT Emboss T/R

RQ3L050GNTB中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.061 Ω

耗散功率 14.8 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 4.9 ns

输入电容Ciss 300pF @30VVds

下降时间 3.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 14.8W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RQ3L050GNTB引脚图与封装图

暂无图片

在线购买RQ3L050GNTB

型号	制造商	描述	购买
RQ3L050GNTB	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.061 ohm, 10 V, 2.5 V	搜索库存