RS3E095BNGZETB
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 19 ns
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 9.5A
输入电容Ciss 680pF @15VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
封装 SOP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 30V 9.5A | 搜索库存 |