RN2409,LF

Toshiba(东芝) 主动器件

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

艾睿:
Transistor Silicon PNP Epitaxial Type PCT Process

RN2409,LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 70

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-346-3

外形尺寸

高度 1.1 mm

封装 SOT-346-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RN2409,LF引脚图与封装图

RN2409,LF封装图

RN2409,LF封装焊盘图

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