R6004KNX

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

TO-220FM N 600V 4A 0.9Ω

N-Channel 600V 4A Tc 40W Tc Through Hole TO-220FM

得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM

贸泽:
MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

R6004KNX中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.9 Ω

极性 N

耗散功率 40 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 280pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

R6004KNX引脚图与封装图

暂无图片

在线购买R6004KNX

型号	制造商	描述	购买
R6004KNX	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	TO-220FM N 600V 4A 0.9Ω	搜索库存