RS3E135BNGZETB
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RS3E135BNGZETB中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2W Tc
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 17 ns
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 9.5A
输入电容Ciss 680pF @15VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
外形尺寸
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RS3E135BNGZETB引脚图与封装图
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