RQ6E085BNTCR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

Nch 30V 8.5A Middle Power MOSFET, TSMT6, SOT-457T SC-95, Nch, JEDEC SOT-457T,

N-Channel 30V 8.5A Tc 1.25W Tc Surface Mount SOT-457

得捷:
MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457

贸泽:
MOSFET Nch 30V 8.5A Si MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 6-Pin TSMT T/R

安富利:
Nch 30V 8.5A Middle Power MOSFET, TSMT6, SOT-457T SC-95, Nch, JEDEC SOT-457T,

RQ6E085BNTCR中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 11.1 mΩ

耗散功率 1.25 W

阈值电压 1 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 1350pF @15VVds

下降时间 31 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457-6

外形尺寸

封装 SOT-457-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RQ6E085BNTCR引脚图与封装图

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RQ6E085BNTCR	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	Nch 30V 8.5A Middle Power MOSFET, TSMT6, SOT-457T SC-95, Nch, JEDEC SOT-457T,	搜索库存