RF6C055BCTCR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

Pch -20V -5.5A Middle Power MOSFET, TUMT6, SOT-363T SC-113DA, Pch, JEDEC SOT-363T

P-Channel 20V 5.5A Ta 1W Tc Surface Mount TUMT6

得捷:
MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6

贸泽:
MOSFET Pch -20V -5.5A Si MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TUMT T/R

RF6C055BCTCR中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 19.5 mΩ

耗散功率 1 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

上升时间 34 ns

输入电容Ciss 1080pF @10VVds

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RF6C055BCTCR引脚图与封装图

RF6C055BCTCR引脚图

RF6C055BCTCR封装图

RF6C055BCTCR封装焊盘图

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