R6004KNJTL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 5 V

表面贴装型 N 通道 600 V 4A（Tc） 58W（Tc） LPTS

得捷:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263

立创商城:
N沟道 600V 4A

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 5 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab LPTS T/R

R6004KNJTL中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.9 Ω

耗散功率 58 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 280pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 58W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

R6004KNJTL引脚图与封装图

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