RB531XN
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
RB531XN中文资料参数规格
技术参数
正向电压 0.43 V
最大反向电压（Vrrm） 30V
正向电流 0.1 A
最大反向漏电流（Ir） 0.03mA
封装参数
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
产品生命周期 Active
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
RB531XN引脚图与封装图
暂无图片
替代型号RB531XN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RB531XN 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： | 当前型号 | 肖特基二极管 Schottky Barrier Diode | 当前型号 |
| 型号： BAS70DW-04-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-363 70V 70mA 6Pin | 功能相似 | BAS70DW-04-7-F 编带 | RB531XN和BAS70DW-04-7-F的区别 |
| 型号： BAS70XY,115 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | BAS70 系列 70 V 70 mA Quadruple 2 系列 表面贴装 肖特基二极管 - SOT-363 | RB531XN和BAS70XY,115的区别 |
| 型号： BAS70XY 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 | 功能相似 | NXP BAS70XY 小信号肖特基二极管, 四, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C 新 | RB531XN和BAS70XY的区别 |
