RJK5014DPP

Renesas Electronics 瑞萨电子电子元器件分类

硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features

• Low on-resistance

RDSon = 0.325 Ω typ. at ID = 9.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 °C

• Low leakage current

• High speed switching

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 19A TO220

RJK5014DPP中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 1800pF @25VVds

额定功率Max 35 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RJK5014DPP引脚图与封装图

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