RGL41D-E3/97中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.3V @1A
反向恢复时间 150 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-213AB
外形尺寸
封装 DO-213AB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RGL41D-E3/97引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RGL41D-E3/97
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RGL41D-E3/97 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Switching 200V 1A 2Pin DO-213AB T/R | 搜索库存 |
替代型号RGL41D-E3/97
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RGL41D-E3/97 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-213 | 当前型号 | Diode Switching 200V 1A 2Pin DO-213AB T/R | 当前型号 |
| 型号： RGL41A-E3/96 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | 1A，Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。薄型，高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor | RGL41D-E3/97和RGL41A-E3/96的区别 |
| 型号： RGL41AHE3/96 品牌： 威世 封装： DO-213 | 完全替代 | Diode Switching 50V 1A 2Pin DO-213AB T/R | RGL41D-E3/97和RGL41AHE3/96的区别 |
| 型号： RGL41AHE3/97 品牌： 威世 封装： DO-213 | 完全替代 | Diode Switching 50V 1A 2Pin DO-213AB T/R | RGL41D-E3/97和RGL41AHE3/97的区别 |