RN1307,LF

Toshiba(东芝) 分立器件

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 10KΩ

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 10kohm

艾睿:
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process

安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM

RN1307,LF中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RN1307,LF引脚图与封装图

RN1307,LF引脚图

RN1307,LF封装图

RN1307,LF封装焊盘图

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RN1307,LF	Toshiba 东芝	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 10KΩ	搜索库存