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RM25C256C-LSNI-B

RM25C256C-LSNI-B

数据手册.pdf
(Adesto Technologies) 主动器件

RM25C256C 系列 3.6 V 256 kb 10 MHz 非易失性 串行 存储器 - SOIC-8N

CBRAM Memory IC 256kb 64B Page Size SPI 10MHz 8-SOIC


得捷:
IC CBRAM 256KBIT SPI 10MHZ 8SOIC


贸泽:
EEPROM 256K 1.65V EEPROM


艾睿:
EEPROM Serial-SPI 256K-bit 512Pagesx512 1.8V/2.5V/3.3V 8-Pin SOIC N Tube


富昌:
RM25C256C Series 3.6 V 256 kb 10 MHz Non-Volatile Serial Memory - SOIC-8N


TME:
Memory; EEPROM; SPI; 1.65÷3.6V; 10MHz; SO8; Package: tube; CBRAM®


Verical:
EEPROM Serial-SPI 256K-bit 512Pagesx512 1.8V/2.5V/3.3V 8-Pin SOIC N Tube


RM25C256C-LSNI-B中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

供电电流 3 mA

存取时间Max 6.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 1.65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

RM25C256C-LSNI-B引脚图与封装图
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在线购买RM25C256C-LSNI-B
型号 制造商 描述 购买
RM25C256C-LSNI-B Adesto Technologies RM25C256C 系列 3.6 V 256 kb 10 MHz 非易失性 串行 存储器 - SOIC-8N 搜索库存
替代型号RM25C256C-LSNI-B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RM25C256C-LSNI-B

品牌: Adesto Technologies

封装: SOIC-8

当前型号

RM25C256C 系列 3.6 V 256 kb 10 MHz 非易失性 串行 存储器 - SOIC-8N

当前型号

型号: RM25C256C-LSNI-T

品牌: Adesto Technologies

封装: 8-SOIC

完全替代

Ic Eeprom 256Kbit 10MHz 8soic

RM25C256C-LSNI-B和RM25C256C-LSNI-T的区别