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R6020KNX
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 晶体管

ROHM  R6020KNX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V 新

N-Channel 600V 20A Tc 68W Tc Through Hole TO-220FM


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R6020KNX中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.17 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 68 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1550pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

R6020KNX引脚图与封装图
R6020KNX引脚图

R6020KNX引脚图

R6020KNX封装图

R6020KNX封装图

R6020KNX封装焊盘图

R6020KNX封装焊盘图

在线购买R6020KNX
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R6020KNX ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM  R6020KNX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V 新 搜索库存