R6024KNJTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
晶体管
R6024KNJTL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 245 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 2000pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 245W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
R6024KNJTL引脚图与封装图 
R6024KNJTL引脚图
R6024KNJTL封装图
R6024KNJTL封装焊盘图
在线购买R6024KNJTL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R6024KNJTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM R6024KNJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V 新 | 搜索库存 |
替代型号R6024KNJTL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： R6024KNJTL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-263 N-Channel 600V 24A | 当前型号 | ROHM R6024KNJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V 新 | 当前型号 |
| 型号： SIHB23N60E-GE3 品牌： 威世 封装： TO-263 N-Channel | 功能相似 | VISHAY SIHB23N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V | R6024KNJTL和SIHB23N60E-GE3的区别 |