RJH65D27BDPQ-A0#T2

IGBT 分立，Renesas Electronics### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，

欧时:
Renesas Electronics RJH65D27BDPQ-A0#T2 N沟道 IGBT, Vce=650 V, 100 A, 3引脚 TO-247A封装

得捷:
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT - 650V/50A/TO-247A

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247A Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247A Tube

Win Source:
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A / IGBT Trench 650 V 100 A 375 W Through Hole TO-247A