RN2302,LF

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin USM

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM

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RN2302,LF

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TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

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Silicon PNP Epitaxial Type PCT Process Bias Resistor built-in Transistor

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM

RN2302,LF中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RN2302,LF引脚图与封装图

RN2302,LF引脚图

RN2302,LF封装图

RN2302,LF封装焊盘图

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