RJH60T04DPQ-A1#T0
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Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
RJH60T04DPQ-A1#T0中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 100 ns
额定功率Max 208.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208.3 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
高度 21.13 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RJH60T04DPQ-A1#T0引脚图与封装图 
RJH60T04DPQ-A1#T0封装图
RJH60T04DPQ-A1#T0封装焊盘图
在线购买RJH60T04DPQ-A1#T0
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RJH60T04DPQ-A1#T0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | IGBT 分立，Renesas Electronics ### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | 搜索库存 |