RN2108MFV,L3F
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
封装 SOT-723-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RN2108MFV,L3F引脚图
RN2108MFV,L3F封装图
RN2108MFV,L3F封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RN2108MFV,L3F | Toshiba 东芝 | 双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor | 搜索库存 |