RN1409,LF

Toshiba(东芝) 主动器件

双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor

艾睿:
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI

RN1409,LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RN1409,LF引脚图与封装图

RN1409,LF引脚图

在线购买RN1409,LF

型号	制造商	描述	购买
RN1409,LF	Toshiba 东芝	双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor	搜索库存