RN1403,LF

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin S-Mini

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini

RN1403,LF中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RN1403,LF引脚图与封装图

RN1403,LF引脚图

RN1403,LF封装图

RN1403,LF封装焊盘图

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RN1403,LF	Toshiba 东芝	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin S-Mini	搜索库存