RJU002N06FRAT106
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RJU002N06FRAT106中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 18pF @10VVds
下降时间 90 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-323
外形尺寸
封装 SOT-323
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
RJU002N06FRAT106引脚图与封装图 
RJU002N06FRAT106引脚图
RJU002N06FRAT106封装图
RJU002N06FRAT106封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RJU002N06FRAT106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM RJU002N06FRAT106 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新 | 搜索库存 |