RGF1G-E3
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
电子元器件分类
RGF1G-E3中文资料参数规格
技术参数
最大正向浪涌电流（Ifsm） 30 A
正向电流Max 1 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214BA
外形尺寸
长度 4.75 mm
宽度 2.9 mm
高度 2.74 mm
封装 DO-214BA
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RGF1G-E3引脚图与封装图
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在线购买RGF1G-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RGF1G-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 1A，Vishay Semiconductor 采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。 薄型，高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号RGF1G-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RGF1G-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | 1A，Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。薄型，高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： RGF1GHE3/67A 品牌： 威世 封装： DO-214BA | 完全替代 | Diode Switching 400V 1A 2Pin DO-214BA T/R | RGF1G-E3和RGF1GHE3/67A的区别 |
| 型号： RGF1G-E3/67A 品牌： 威世 封装： | 功能相似 | 二极管 - 通用，功率，开关 1 Amp 400 Volt 150ns 30 Amp IFSM | RGF1G-E3和RGF1G-E3/67A的区别 |
| 型号： RGF1G-E3/5CA 品牌： 威世 封装： | 功能相似 | DIODE 1A, 400V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2Pin, Signal Diode | RGF1G-E3和RGF1G-E3/5CA的区别 |