RJH60A81RDPD-A0#J2
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 100 ns
额定功率Max 29.4 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RJH60A81RDPD-A0#J2引脚图
RJH60A81RDPD-A0#J2封装图
RJH60A81RDPD-A0#J2封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RJH60A81RDPD-A0#J2 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3Pin TO-252A T/R | 搜索库存 |