RPI-221
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
工业控制
RPI-221中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
波长 950 nm
峰值波长 950 nm
耗散功率 80 mW
上升时间 10000 ns
击穿电压集电极-发射极 30 V
正向电流 50 mA
击穿电压 5 V
正向电流Max 50 mA
下降时间 10000 ns
下降时间Max 10000 ns
上升时间Max 10000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 80 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 PCB Mount
外形尺寸
宽度 2.6 mm
高度 3.3 mm
封装 PCB Mount
物理参数
工作温度 -25℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
RPI-221引脚图与封装图 
RPI-221引脚图
RPI-221封装图
RPI-221封装焊盘图