RG2012P-434-C-T5
数据手册.pdf(Susumu)
电子元器件分类
RG2012P-434-C-T5中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
容差 ±0.25 %
额定功率 0.125 W
产品系列 RG
电阻 430 kΩ
阻值偏差 ±0.25 %
工作温度Max 155 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.4 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 155℃
温度系数 ±25 ppm/℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape, Tape & Reel TR
最小包装 5000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RG2012P-434-C-T5引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RG2012P-434-C-T5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RG2012P-434-C-T5 | Susumu | 薄膜电阻器 - SMD 430 Kohm 0.25% 1/8W 25ppm | 搜索库存 |
替代型号RG2012P-434-C-T5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RG2012P-434-C-T5 品牌： Susumu 封装： 0805 430kΩ ±0.25% 125mW 150V | 当前型号 | 薄膜电阻器 - SMD 430 Kohm 0.25% 1/8W 25ppm | 当前型号 |
| 型号： RG2012N-434-W-T5 品牌： Susumu 封装： 0805 430kΩ ±0.05% 125mW | 类似代替 | 薄膜电阻器 - SMD 1/8W 430K Ohms 0.05% 0805 10ppm | RG2012P-434-C-T5和RG2012N-434-W-T5的区别 |
| 型号： RG2012P-434-B-T5 品牌： Susumu 封装： 0805 430kΩ ±0.1% 125mW | 类似代替 | RG Series 0805 430KΩ ±0.1% 0.125W1/8W ±25ppm/°C SMT Thin Film Chip Resistor | RG2012P-434-C-T5和RG2012P-434-B-T5的区别 |
| 型号： RG2012N-434-B-T5 品牌： Susumu 封装： 0805 430kΩ ±0.1% 125mW | 类似代替 | RES SMD 430KΩ 0.1% 0.125W1/8W 0805 | RG2012P-434-C-T5和RG2012N-434-B-T5的区别 |