RG3216V-6650-P-T1
数据手册.pdf(Susumu)
电子元器件分类
RG3216V-6650-P-T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定功率 250 mW
产品系列 RG
电阻 665 Ω
阻值偏差 ±0.02 %
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 3216
封装 1206
外形尺寸
长度 3.20 mm
宽度 1.60 mm
高度 400 µm
封装公制 3216
封装 1206
物理参数
温度系数 ±5 ppm/℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape, Tape & Reel TR
最小包装 1000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RG3216V-6650-P-T1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RG3216V-6650-P-T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RG3216V-6650-P-T1 | Susumu | RES SMD 665Ω 0.02% 0.25W1/4W 1206 | 搜索库存 |
替代型号RG3216V-6650-P-T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RG3216V-6650-P-T1 品牌： Susumu 封装： 1206 665Ω ±0.02% 250mW 200V | 当前型号 | RES SMD 665Ω 0.02% 0.25W1/4W 1206 | 当前型号 |
| 型号： RG3216P-6650-P-T1 品牌： Susumu 封装： 1206 665Ω ±0.02% 250mW 200V | 完全替代 | Thin Film Resistors - SMD 665Ω 0.02% 0.125W1/8W 25ppm | RG3216V-6650-P-T1和RG3216P-6650-P-T1的区别 |
| 型号： RG3216N-6650-B-T1 品牌： Susumu 封装： 1206 665Ω ±0.1% 250mW 200V | 类似代替 | RES SMD 665Ω 0.1% 0.25W1/4W 1206 | RG3216V-6650-P-T1和RG3216N-6650-B-T1的区别 |
| 型号： RG3216N-6650-C-T5 品牌： Susumu 封装： 1206 665Ω ±0.25% 250mW 200V | 类似代替 | RES SMD 665Ω 0.25% 0.25W1/4W 1206 | RG3216V-6650-P-T1和RG3216N-6650-C-T5的区别 |