RDER71H105K2S1H03A
数据手册.pdfmuRata(村田)
被动器件
RDER71H105K2S1H03A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50 V
电容 1 µF
容差 ±10 %
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Ammo Pack
引脚间距 2.5 mm
外形尺寸
高度 3.15 mm
直径 Φ5.5mm
封装 Ammo Pack
引脚间距 2.5 mm
厚度 3.15 mm
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RDER71H105K2S1H03A引脚图与封装图
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在线购买RDER71H105K2S1H03A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RDER71H105K2S1H03A | muRata 村田 | 1uF 50V X7R Φ5.5mm | 搜索库存 |
替代型号RDER71H105K2S1H03A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RDER71H105K2S1H03A 品牌： muRata 村田 封装： Ammo 1uF 50V | 当前型号 | 1uF 50V X7R Φ5.5mm | 当前型号 |
| 型号： RDER71H105K2M1H03A 品牌： 村田 封装： Ammo 1uF 50V | 完全替代 | 多层陶瓷电容, 1 µF, 50 V, RDE Series, ± 10%, 径向引线, X7R | RDER71H105K2S1H03A和RDER71H105K2M1H03A的区别 |
| 型号： RDER71H105K2K1H03B 品牌： 村田 封装： Bulk 1uF 50V | 完全替代 | RDER 系列 1 uF 50 V ±10% X7R 径向 5 mm 单层陶瓷电容 | RDER71H105K2S1H03A和RDER71H105K2K1H03B的区别 |
| 型号： RDER71H105K2P1H03B 品牌： 村田 封装： Bulk 1uF 50V | 完全替代 | 1uF 50V X7R Φ5.5mm | RDER71H105K2S1H03A和RDER71H105K2P1H03B的区别 |