RDE5C2A821J0M1H03A
数据手册.pdfmuRata(村田)
被动器件
RDE5C2A821J0M1H03A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
电容 820 pF
容差 ±5 %
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 100 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Monolithic
引脚间距 5 mm
外形尺寸
长度 3.6 mm
宽度 3.5 mm
高度 2.5 mm
直径 Φ4.0mm
封装 Monolithic
引脚间距 5 mm
物理参数
材质 C0G/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Box TB
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RDE5C2A821J0M1H03A引脚图与封装图
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在线购买RDE5C2A821J0M1H03A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RDE5C2A821J0M1H03A | muRata 村田 | 多层陶瓷电容, 820 pF, 100 V, RDE Series, ± 5%, 径向引线, C0G / NP0 | 搜索库存 |
替代型号RDE5C2A821J0M1H03A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RDE5C2A821J0M1H03A 品牌： muRata 村田 封装： Monolithic 820pF 100V | 当前型号 | 多层陶瓷电容, 820 pF, 100 V, RDE Series, ± 5%, 径向引线, C0G / NP0 | 当前型号 |
| 型号： RDE5C2A821J0K1H03B 品牌： 村田 封装： 820pF 100V | 完全替代 | 820pF 100V C0G Φ4.0mm | RDE5C2A821J0M1H03A和RDE5C2A821J0K1H03B的区别 |
| 型号： RPE5C2A821J2M1A03A 品牌： 村田 封装： 820pF 100V C0G/NP0 | 完全替代 | 820pF 100V C0G Φ5.0mm | RDE5C2A821J0M1H03A和RPE5C2A821J2M1A03A的区别 |