RG3216V-1130-B-T5
数据手册.pdf(Susumu)
被动器件
RG3216V-1130-B-T5中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定功率 250 mW
产品系列 RG
电阻 113 Ω
阻值偏差 ±0.1 %
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 3216
封装 1206
外形尺寸
长度 3.20 mm
宽度 1.60 mm
高度 400 µm
封装公制 3216
封装 1206
物理参数
温度系数 ±5 ppm/℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape, Tape & Reel TR
最小包装 5000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RG3216V-1130-B-T5引脚图与封装图
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在线购买RG3216V-1130-B-T5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RG3216V-1130-B-T5 | Susumu | RES SMD 113Ω 0.1% 0.25W1/4W 1206 | 搜索库存 |
替代型号RG3216V-1130-B-T5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RG3216V-1130-B-T5 品牌： Susumu 封装： 1206 113Ω ±0.1% 250mW | 当前型号 | RES SMD 113Ω 0.1% 0.25W1/4W 1206 | 当前型号 |
| 型号： RG3216P-1130-C-T5 品牌： Susumu 封装： 1206 113Ω ±0.25% 250mW 200V | 类似代替 | Thin Film Resistors - SMD 113Ω 0.25% 0.25W1/4W 25ppm | RG3216V-1130-B-T5和RG3216P-1130-C-T5的区别 |
| 型号： RG3216N-1130-B-T1 品牌： Susumu 封装： 1206 113Ω ±0.1% 250mW 200V | 类似代替 | RES SMD 113Ω 0.1% 0.25W1/4W 1206 | RG3216V-1130-B-T5和RG3216N-1130-B-T1的区别 |
| 型号： RG3216N-1130-C-T5 品牌： Susumu 封装： 1206 113Ω ±0.25% 250mW 200V | 类似代替 | RES SMD 113Ω 0.25% 0.25W1/4W 1206 | RG3216V-1130-B-T5和RG3216N-1130-C-T5的区别 |