RHDL81H105K2A2C03B
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muRata
村田
被动器件
RHDL81H105K2A2C03B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 1 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X8L
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
封装 剪切带
引脚间距 2.5 mm
外形尺寸
封装 剪切带
引脚间距 2.5 mm
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 车用, Automotive
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
RHDL81H105K2A2C03B引脚图与封装图
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在线购买RHDL81H105K2A2C03B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RHDL81H105K2A2C03B | muRata 村田 | MURATA RHDL81H105K2A2C03B 多层陶瓷电容, AEC-Q200 RHD系列, 1 µF, ± 10%, X8L, 50 V, 径向引线 | 搜索库存 |
替代型号RHDL81H105K2A2C03B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RHDL81H105K2A2C03B 品牌： muRata 村田 封装： 1µF 50V ±10% | 当前型号 | MURATA RHDL81H105K2A2C03B 多层陶瓷电容, AEC-Q200 RHD系列, 1 µF, ± 10%, X8L, 50 V, 径向引线 | 当前型号 |
| 型号： RHEL81H105K2A2H03B 品牌： 村田 封装： 1µF 50V ±10% | 完全替代 | MURATA RHEL81H105K2A2H03B 多层陶瓷电容, AEC-Q200 RHE Series, 1 µF, ± 10%, X8L, 50 V, 径向引线 | RHDL81H105K2A2C03B和RHEL81H105K2A2H03B的区别 |