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RT0805BRD07511KL

RT0805BRD07511KL

数据手册.pdf
Yageo(国巨) 被动器件

0805 511kΩ ±0.1%

511 kOhms ±0.1% 0.125W,1/8W 芯片 0805(2012 公制) - 薄膜


立创商城:
511kΩ ±0.1% 125mW


得捷:
RES SMD 511K OHM 0.1% 1/8W 0805


艾睿:
Res Thin Film 0805 511K Ohm 0.1% 0.125W1/8W ±25ppm/°C Epoxy Pad SMD T/R


RT0805BRD07511KL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定功率 0.125 W

产品系列 RT

电阻 511 KΩ

阻值偏差 ±0.1 %

工作温度Max 155 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.50 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±25 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 5000

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

RT0805BRD07511KL引脚图与封装图
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在线购买RT0805BRD07511KL
型号 制造商 描述 购买
RT0805BRD07511KL Yageo 国巨 0805 511kΩ ±0.1% 搜索库存
替代型号RT0805BRD07511KL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RT0805BRD07511KL

品牌: Yageo 国巨

封装: 0805 511kΩ ±0.1% 125mW

当前型号

0805 511kΩ ±0.1%

当前型号

型号: 9T08052A5113BAHFT

品牌: 国巨

封装: 0805 511kΩ ±0.1% 125mW 150V

完全替代

RES SMD 511KΩ 0.1% 0.125W1/8W 0805

RT0805BRD07511KL和9T08052A5113BAHFT的区别

型号: RG2012P-5113-B-T1

品牌: Susumu

封装: 0805 511kΩ ±0.1% 125mW 150V

功能相似

RG Series 0805 0.125W1/8W 511KΩ ± 0.1% ± 25ppm/°C SMT Metal Film Resistor

RT0805BRD07511KL和RG2012P-5113-B-T1的区别