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RT1206DRE0718K2L

RT1206DRE0718K2L

数据手册.pdf
Yageo(国巨) 被动器件

18.2K_0.5%_1206_薄膜高精密

18.2 ±0.5% 0.25W,1/4W 芯片 1206(3216 公制) - 薄膜


得捷:
RES SMD 18.2K OHM 0.5% 1/4W 1206


立创商城:
18.2kΩ ±0.5% 250mW


RT1206DRE0718K2L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

容差 ±0.5 %

额定功率 0.25 W

产品系列 RT

电阻 18.2 kΩ

阻值偏差 ±0.5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.20 mm

宽度 1.60 mm

高度 0.55 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±50 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Paper & reel

最小包装 5000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RT1206DRE0718K2L引脚图与封装图
RT1206DRE0718K2L引脚图

RT1206DRE0718K2L引脚图

RT1206DRE0718K2L封装图

RT1206DRE0718K2L封装图

RT1206DRE0718K2L封装焊盘图

RT1206DRE0718K2L封装焊盘图

在线购买RT1206DRE0718K2L
型号 制造商 描述 购买
RT1206DRE0718K2L Yageo 国巨 18.2K_0.5%_1206_薄膜高精密 搜索库存
替代型号RT1206DRE0718K2L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RT1206DRE0718K2L

品牌: Yageo 国巨

封装: 1206 18.2kΩ ±0.5% 125mW

当前型号

18.2K_0.5%_1206_薄膜高精密

当前型号

型号: RT1206BRD0718K2L

品牌: 国巨

封装: 1206 18.2kΩ ±0.1% 125mW

类似代替

RES SMD 18.2KΩ 0.1% 0.25W1/4W 1206

RT1206DRE0718K2L和RT1206BRD0718K2L的区别

型号: RT1206BRE0718K2L

品牌: 国巨

封装: 1206 18.2kΩ ±0.1% 125mW

类似代替

RES SMD 18.2KΩ 0.1% 0.25W1/4W 1206

RT1206DRE0718K2L和RT1206BRE0718K2L的区别

型号: RT1206CRE0718K2L

品牌: 国巨

封装: 1206 18.2kΩ ±0.25% 125mW

类似代替

Res SMD 18.2KΩ 0.25% 0.25W1/4W 1206

RT1206DRE0718K2L和RT1206CRE0718K2L的区别