RN55D2000F
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International Resistive
被动器件
RN55D2000F中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定功率 125 mW
电阻 200 Ω
阻值偏差 ±1 %
额定电压 200 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 Axial Leaded
外形尺寸
封装 Axial Leaded
物理参数
温度系数 ±100 ppm/℃
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
军工级 Yes
RN55D2000F引脚图与封装图
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在线购买RN55D2000F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RN55D2000F | International Resistive | INTERNATIONAL RESISTIVE RN55D2000F 金属釉面电阻, 200Ω, 125mW, 1% | 搜索库存 |
替代型号RN55D2000F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RN55D2000F 品牌： International Resistive 封装： Axial 200Ω 125mW ±1% | 当前型号 | INTERNATIONAL RESISTIVE RN55D2000F 金属釉面电阻, 200Ω, 125mW, 1% | 当前型号 |
| 型号： RN55D2000FB14 品牌： 威世 封装： Axial | 类似代替 | VISHAY RN55D2000FB14 金属膜电阻, 200Ω, 125mW, 1% | RN55D2000F和RN55D2000FB14的区别 |
| 型号： RN55D2000FRE6 品牌： 威世 封装： Axial | 类似代替 | VISHAY RN55D2000FRE6 金属膜电阻, 200Ω, 125mW, ±1% | RN55D2000F和RN55D2000FRE6的区别 |