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RT0603DRD072K32L

RT0603DRD072K32L

数据手册.pdf
Yageo(国巨) 被动器件

2.32K_0.5%_0603_薄膜高精密

±0.5% 0.1W,1/10W 芯片 0603(1608 公制) - 薄膜


得捷:
RES SMD 2.32KOHM 0.5% 1/10W 0603


立创商城:
2.32kΩ ±0.5% 100mW


艾睿:
Res Thin Film 0603 2.32K Ohm 0.5% 0.1W1/10W ±25ppm/°C Pad SMD T/R


Verical:
Res Thin Film 0603 2.32K Ohm 0.5% 0.1W1/10W ±25ppm/C Pad SMD T/R


RT0603DRD072K32L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定功率 0.1 W

产品系列 RT

电阻 2320 Ω

阻值偏差 ±0.5 %

工作温度Max 155 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.60 mm

宽度 800 µm

高度 0.45 mm

封装公制 1608

封装 0603

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±25 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 5000

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

RT0603DRD072K32L引脚图与封装图
RT0603DRD072K32L引脚图

RT0603DRD072K32L引脚图

RT0603DRD072K32L封装图

RT0603DRD072K32L封装图

RT0603DRD072K32L封装焊盘图

RT0603DRD072K32L封装焊盘图

在线购买RT0603DRD072K32L
型号 制造商 描述 购买
RT0603DRD072K32L Yageo 国巨 2.32K_0.5%_0603_薄膜高精密 搜索库存
替代型号RT0603DRD072K32L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RT0603DRD072K32L

品牌: Yageo 国巨

封装: 0603 2.32kΩ 100mW ±0.5%

当前型号

2.32K_0.5%_0603_薄膜高精密

当前型号

型号: 9T06031A2321DAHFT

品牌: 国巨

封装: 0603 2.32kΩ ±0.5% 100mW 75V

功能相似

RES SMD 2.32KΩ 0.5% 0.1W1/10W 0603

RT0603DRD072K32L和9T06031A2321DAHFT的区别