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RT0805DRE078K06L

RT0805DRE078K06L

数据手册.pdf
Yageo(国巨) 被动器件

8.06K_0.5%_0805_薄膜高精密

8.06 kOhms ±0.5% 0.125W, 1/8W Chip Resistor 0805 2012 Metric - Thin Film


得捷:
RES SMD 8.06K OHM 0.5% 1/8W 0805


艾睿:
Res Thin Film 0805 8.06K Ohm 0.5% 0.125W1/8W ±50ppm/°C Pad SMD T/R


安富利:
Res High Precision Thin Film 0805 8.06k Ohm 0.5% 1/8W ±50ppm/°C Molded Paper T/R


立创商城:
8.06kΩ ±0.5% 125mW


RT0805DRE078K06L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定功率 0.125 W

产品系列 RT

电阻 8.06 kΩ

阻值偏差 ±0.5 %

工作温度Max 155 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.50 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±50 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Paper & reel

最小包装 5000

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

RT0805DRE078K06L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
RT0805DRE078K06L Yageo 国巨 8.06K_0.5%_0805_薄膜高精密 搜索库存
替代型号RT0805DRE078K06L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RT0805DRE078K06L

品牌: Yageo 国巨

封装: 0805 8.06kΩ ±0.5% 125mW

当前型号

8.06K_0.5%_0805_薄膜高精密

当前型号

型号: 9T08052A8061DBHFT

品牌: 国巨

封装: 0805 8.06kΩ ±0.5% 125mW 150V

完全替代

RES SMD 8.06KΩ 0.5% 0.125W1/8W 0805

RT0805DRE078K06L和9T08052A8061DBHFT的区别